GAGG: Ce Scintillator, GAGG Crystal, GAGG Crystal Scintillation
Афзалият
● Қувваи хуби таваққуф
● Равшании баланд
● Дурахши паст
● Вақти зуд пӯсида
Ариза
● Камераи гамма
● PET, PEM, SPECT, CT
● Муайянкунии рентген ва гамма
● Бозрасии контейнерҳои энергияи баланд
Хосиятҳо
| Навъи | GAGG-HL | Тавозуни GAGG | GAGG-FD |
| Системаи кристалл | мукааб | мукааб | мукааб |
| Зичии （г/см3) | 6.6 | 6.6 | 6.6 |
| Ҳосили сабук (фотонҳо/кев) | 60 | 50 | 30 |
| Вақти таназзул (нс) | ≤150 | ≤90 | ≤48 |
| Дарозии мавҷҳои марказӣ (nm) | 530 | 530 | 530 |
| Нуқтаи обшавӣ (℃) | 2105℃ | 2105℃ | 2105℃ |
| Коэффисиенти атомӣ | 54 | 54 | 54 |
| Қарори энергетикӣ | ＜5% | ＜6% | ＜7% |
| Радиатсияи худ | No | No | No |
| Гигроскопӣ | No | No | No |
Тавсифи Маҳсулот
GAGG: Ce (Gd3Al2Ga3O12) гадолиниуми алюминийи гранати галлий, ки бо церий омехта шудааст.Он як сцинтиллятори нав барои томографияи компютерии ягонаи эмиссияи фотонӣ (SPECT), гамма-рентгенӣ ва муайянкунии электронҳои Комптон мебошад.Cerium doped GAGG: Ce дорои хосиятҳои зиёдест, ки онро барои спектроскопияи гамма ва барномаҳои тасвирии тиббӣ мувофиқ мекунанд.Ҳосили баланди фотонҳо ва қуллаи партобҳо тақрибан 530 нм мебошад, ки маводро барои хондан аз ҷониби детекторҳои Силикон Фото-мултипликатор хеле мувофиқ мекунад.Кристали эпикӣ 3 намуди GAGG: Ce кристаллро бо вақти тезтар пӯсида (GAGG-FD), булӯри маъмулӣ (GAGG-Balance), кристали баландтари нур (GAGG-HL) барои муштарӣ дар соҳаи гуногун таҳия кард.GAGG: Ce як сцинтиллятори хеле умедбахш дар соҳаи саноати энергетикӣ мебошад, вақте ки он дар озмоиши ҳаёт дар зери 115 кВ, 3 мА ва манбаи радиатсионӣ дар масофаи 150 мм аз кристалл тавсиф карда шуд, пас аз 20 соат коршоямӣ тақрибан ба мисли тару тоза аст. як.Ин маънои онро дорад, ки он ба вояи баланд дар зери шуоъҳои рентгенӣ тобовар аст, албатта аз шароити шуоъ вобаста аст ва дар сурати минбаъд рафтан бо GAGG барои NDT бояд санҷиши дақиқи минбаъда гузаронида шавад.Ба ғайр аз кристали ягонаи GAGG: Ce, мо метавонем онро ба массиви хатӣ ва 2-ченака созем, андозаи пиксел ва ҷудокунандаро дар асоси талабот ба даст овардан мумкин аст.Мо инчунин технологияи GAGG сафолиро таҳия кардем: Ce, он вақти беҳтари ҳалли тасодуфӣ (CRT), вақти тезтар пӯсида ва баромади нури баланд дорад.
Ҳалли энергетикӣ: GAGG Dia2 "x2", 8,2% Cs137@662Кев
Намоиши пас аз нур
Фаъолияти баромади нур
Ҳалли вақт: Вақти Fast Fast Fast Gagg
(a) Ҳалли вақт: CRT = 193ps (FWHM, равзанаи энергетикӣ: [440кеВ 550кеВ])
(а) Ҳалли мӯҳлат Vs.шиддати ғараз: (равзанаи энергетикӣ: [440кеВ 550кеВ])
Лутфан таваҷҷӯҳ намоед, ки партови қуллаи GAGG 520 нм аст, дар ҳоле ки сенсорҳои SiPM барои кристаллҳо бо партови қуллаи 420 нм пешбинӣ шудаанд.PDE барои 520 нм дар муқоиса бо PDE барои 420 нм 30% камтар аст.CRT-и GAGG метавонад аз 193ps (FWHM) то 161,5ps (FWHM) беҳтар карда шавад, агар PDE сенсорҳои SiPM барои 520 нм бо PDE барои 420 нм мувофиқат кунад.
